CAS Latency (CL)

CAS Latency (Column Address Strobe Latency) или CL - показатель задержки CAS. Под ним подразумевается время ожидания между запросом процессора и моментом выхода в доступность первой ячейки данных из памяти. При этом, нужная строка уже должна быть активной, если это не так, потребуется дополнительное время. Время исчисляется в циклах. 

Задержка CAS в модулях памяти:

  • SDR SDRAM - 1, 2, 3 цикла; 
  • DDR SDRAM - 2, 2.5 цикла.

Обозначение задержки CAS на модулях памяти производится как "CAS" или "CL". А показатель CAS2, CAS-2, CAS=2, CL2, CL-2 или CL=2 указывает на длительность задержки (в данном случае, равную 2 циклам).

Чем меньше показатель CAS Latency, тем лучше.

В асинхронной DRAM, показатель интервала указывается в наносекундах. Синхронные DRAM отображают интервал в тактах (циклах). 

Динамический RAM расположен в виде прямоугольного массива. Каждый ряд выбран горизонтальной строкой. Отправка логического высокого сигнала по данной строке позволяет в данной строке представить MOSFET, подключая каждый накопительный конденсатор к соответствующей вертикальной битовой линейке. Каждая битовая линия подключена к усилителю, который производит небольшое изменение напряжения. Этот сигнал усилителя впоследствии выходит из DRAM-чипа для обновления строки.

Когда нет активности в строке, массив находится в режиме ожидания и только часть линий находится в состоянии готовности. При этом уровень напряжения - средний. Он отклоняется в сторону большего или меньшего, в зависимости от активности строки.

Чтобы получить доступ к памяти, строки сперва должны быть выбраны и загружены в усилитель. Только после этого строка становится активной, а колонки - доступны для операций чтения и записи.

В качестве примера возьмем типичный 1 ГБ SDRAM модуль памяти. Он может содержать до 8 отдельных гигабитных DRAM чипов, каждый из которых вмещает до 128 Мб памяти. Внутри себя каждый чип разделен еще на 8 банков по 227 Мбит, каждый из которых содержит отдельный массив DRAM. Каждый массив содержит 214 = 16 384 строк по 213 = 8192 бит каждый. Один байт памяти (с каждого чипа; 64 бит в сумме - со всего DIMM) способен к обработке 3-битного номера банка, 14-битного адреса строки и 10-битного адреса колонки.

Примеры тайминга памяти

Только CAS latency

Поколение

Тип

Скорость передачи данных

Время бита

Частота

Цикл

CL

Первое слово

Четвертое слово

Восьмое слово

SDRAM

PC100

100 MT/s

 10 ns

100 MHz

 10 ns

2

20 ns

50 ns

90 ns

PC133

133 MT/s

 7.5 ns

133 MHz

 7.5 ns

3

22.5 ns

45 ns

75 ns

DDR SDRAM

DDR-333

333 MT/s

 3 ns

166 MHz

 6 ns

2.5

15 ns

24 ns

36 ns

DDR-400

400 MT/s

 2.5 ns

200 MHz

 5 ns

3

15 ns

22.5 ns

32.5 ns

2.5

12.5 ns

20 ns

30 ns

2

10 ns

17.5 ns

27.5 ns

DDR2 SDRAM

DDR2-667

667 MT/s

1.5 ns

333 MHz

 3 ns

5

15 ns

19.5 ns

25.5 ns

4

12 ns

16.5 ns

22.5 ns

DDR2-800

800 MT/s

 1.25 ns

400 MHz

 2.5 ns

6

15 ns

18.75 ns

23.75 ns

5

12.5 ns

16.25 ns

21.25 ns

4.5

11.25 ns

15 ns

20 ns

4

10 ns

13.75 ns

18.75 ns

DDR2-1066

1066 MT/s

 0.95 ns

533 MHz

 1.9 ns

7

13.13 ns

15.94 ns

19.69 ns

6

11.25 ns

14.06 ns

17.81 ns

5

9.38 ns

12.19 ns

15.94 ns

4.5

8.44 ns

11.25 ns

15 ns

4

7.5 ns

10.31 ns

14.06 ns

DDR3 SDRAM

DDR3-1066

1066 MT/s

 0.9375 ns

533 MHz

 1.875 ns

7

13.13 ns

15.95 ns

19.7 ns

DDR3-1333

1333 MT/s

 0.75 ns

666 MHz

 1.5 ns

9

13.5 ns

15.75 ns

18.75 ns

6

 9 ns

11.25 ns

14.25 ns

DDR3-1375

1375 MT/s

 0.73 ns

687 MHz

 1.5 ns

5

 7.27 ns

 9.45 ns

12.36 ns

DDR3-1600

1600 MT/s

 0.625 ns

800 MHz

 1.25 ns

9

11.25 ns

13.125 ns

15.625 ns

8

10 ns

11.875 ns

14.375 ns

7

 8.75 ns

10.625 ns

13.125 ns

6

 7.50 ns

9.375 ns

11.875 ns

DDR3-2000

2000 MT/s

 0.5 ns

1000 MHz

 1 ns

10

10 ns

11.5 ns

13.5 ns

9

9 ns

10.5 ns

12.5 ns

8

 8 ns

9.5 ns

11.5 ns

7

 7 ns

8.5 ns

10.5 ns

#