DDR4

DDR4 SDRAM (double-data-rate four synchronous dynamic random access memory) — новинка на рынке оперативной памяти. Представляет собой логическое продолжение поколения оперативной памяти DDR. 

Ключевым отличием нового поколения являются повышенные частотные характеристики и сниженное напряжение. DDR4 отличается поддержкой диапазона частот от 2133 до 4266 МГц. 

Глобальный выпуск нового поколения памяти намечен на вторую половину 2012 года. В январе 2011 года компания Samsung официально обнародовала новые модули DDR4-2133 объемом памяти 2 Гб, работающие на напряжении 1,2 В. Техпроцесс составил 30 нм.

По данным специалистов аналитического агентства IHS-iSuppli, доля рынка оперативной памяти DDR4 увеличится от 5 % (в 2013 году) до 50 % (в 2015 году).

Организация JEDEC впервые опубликовала данные о новом типе памяти DDR4 в рамках конференции MemCon, которая проходила в Токио. По представленным слайдам можно было сделать вывод, что свежая разработка будет обладать повышенной частотой (от 2133 до 4266 МГц) и пониженным напряжением (от 1,1 до 1,2 В), в сравнении с показателями предыдущих стандартов. 

Производство модулей DDR4 намечено на 2015 год. Первые образцы, на базе которых будут строиться контроллеры памяти, были выпущены в 2011 году. 

После выхода образца от Samsung, компания Hynix представила свой первый модуль DDR4. Эта разработка превзошла показатели модуля от Samsung по частоте (2400 МГц против 2133 МГц). Специалисты Hynix добились 80% увеличения производительности памяти, в сравнении с DDR3-1333.

Показатель пропускной способности

Чтобы подсчитать максимальную пропускную способность памяти DDR4, требуется показатель частоты умножить на 64 бита. Получится число того размера данных, который может быть передан за 1 такт работы памяти.

  • Память с частотой 2133 МГц (минимальная частота DDR4) обладает максимальной пропускной способностью в 2133 * 8 = 17 064 МБ/c;
  • Память с частотой 4266 МГц (максимальная частота DDR4)  обладает максимальной пропускной способностью в 4266 * 8 = 34 128 МБ/c.
#